RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3075
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link