RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2513
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link