RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2332
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link