RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
40
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
3034
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Corsair CMSX8GX3M1A1600C1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link