RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2359
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link