RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
3594
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link