RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
41
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2394
4116
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link