RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
41
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2394
2876
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link