RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
41
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2394
2876
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link