RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2478
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link