RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2787
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link