RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2920
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link