RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
42
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2786
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link