RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2916
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link