RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2999
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link