RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3574
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link