RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3169
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link