RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3305
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link