RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3486
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link