RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3697
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link