RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3029
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-AE-F 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link