RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3182
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link