RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3090
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Inmos + 256MB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link