RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3527
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link