RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2800
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link