RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2371
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link