RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2616
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link