RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2616
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link