RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2173
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link