RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3040
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link