RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
42
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2621
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link