RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2829
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link