RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2829
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link