RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
68
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
68
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
1812
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link