RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
59
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
2727
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link