RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
2513
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link