RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3221
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link