RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3312
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link