RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3876
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link