RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
2468
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link