RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
1870
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link