RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3341
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link