RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2209
3088
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link