RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
41
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2412
3115
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F3-19200C10-8GBZHD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link