RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2412
2922
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT25664AC667.C16FH 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link