RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
29
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2282
2034
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link