RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
44
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
3809
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link