RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
44
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
3288
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link