RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
60
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
60
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
1505
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link