RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
3093
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link