RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
44
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
2633
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link