RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR5
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2597
3419
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link