RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,027.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
52
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,837.1
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,027.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
794
2570
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link